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(Japanese)TDK 秋田新しい生産拠点完成

TDKは秋田県内で2つの新しい生産拠点が完成したと発表した。2拠点ともに2016年内に稼働を開始する。

完成した2つの生産拠点は、本荘工場東サイト（秋田県由利本荘市）と稲倉工場東サイト（秋田県にかほ市）。

いずれもTDKがグローバルでの電子部品製造における“マザー拠点”と位置付ける秋田地区に立地。

2015年7月から約250億円を投じて建設を進めていた。

本荘工場東サイトは、延床面積5万m2の2階建て建物で、高周波部品やピエゾ部品をはじめとした電子部品の開発、設計、製造を行う。

稲倉工場東サイトは、延床面積1万5000m2の一部2階建て建物で、フェライト材料やフェライトコアなど電子部品用磁性材料の開発、設計、製造を行う拠点となる。

新生産拠点についてTDKは、「IoT（モノのインターネット）向けビジネスの拡大を見据えた最新鋭の秋田地区のモノづくりのマザー拠点」と位置付け、

インダストリー4.0の考え方と、ゼロディフェクトを実現する品質向上のモノづくりという2つのコンセプトを導入。

「TDK独自の生産技術を結集した最新鋭の設備、システムを導入し、従来型のモノづくりにはない、新たな生産ラインを構築する」としている。

2拠点は、秋田県の冬場の天候を活用し、積雪時の雪を格納して冷熱回収の補助にするシステムを導入するなど、エネルギー効率の向上を目指した設計を行ったとする。

(Chinese) TDK 日本2个新工厂竣工

TDK近日发表日本2个新工厂竣工，并将于年内投产。

本次2个新工厂都位于日本东北秋田，作为TDK的主力工厂的一部分。

建厂投资金额为250亿日元。2家工厂合计厂房面积为7万5000m2。

以工业4.0管理为标准，导入最新的生产设备和管理系统。

该厂房利用天然优势，将冬季的积雪转化为热冷能源，提供工厂的冷热系统。

(Chinese)江丰电子-一家智能制造的先端企业

近日央视财经《中国财经报道》谈到了智能制造、自主核心等制造/工业强国话题。

位于浙江宁波余姚县的江丰电子材料股份有限公司为iPhone 7核心处理器A10芯片提供靶材靶材，是中国电子产品第一次应用在16nm FinFET+技术大规模集群。

芯片是智能装备控制系统的核心，芯片需要靶材上加工。一个印章大小芯片要编制上万米金属导线，这对金属材料的要求之高可想而知。

这个类似饼状的金属材料，行业中叫高纯度溅射靶材，它是半导体芯片制造中的关键材料。目前全球只有不到5家公司掌握制造工艺。

这些金属靶材，最核心的是纯度。制作芯片需要的金属纯度是99.999。因为纯度太高，指甲轻轻一划就会有划痕。

目前，江丰电子的高纯钛金属，已经达到美国、日本的产品性能，完全满足了芯片制造所需要的纯度，打破了日美在这一战略金属材料领域的垄断。

金属靶材的金属原子被一层层建设到芯片上，再利用特殊的工艺把它们切割成金属导线，芯片的信息传输全靠这些金属导线。如今的市面上的很多手机、平板电脑都采用了江丰电子的产品。

11月8日，江丰电子和美国嘉柏微电子材料股份有限公司在上海宣布就半导体集成电路化学机械研磨用(CMP)抛光垫项目进行合作。

2005年成立的宁波江丰电子有限公司就是一家从事研发生产溅射靶材的高科技企业，也是国内唯一从事集成电路芯片制造用超高纯度溅射靶材研发的企业。

已成功并进入台积电、东芝、索尼、富士通等国际主流半导体制造企业。

江丰电子已能够生产超高纯铜、铝、钽、钛等材质的各类靶材产品，并已应用到线宽65纳米至180纳米的当前最先进的半导体制造领域。

溅射靶材是制造半导体芯片所必需的一种极其重要的关键材料，其原理是采用物理气相沉积技术(PVD)，用高压加速气态离子轰击靶材，使靶材的原子被溅射出，以薄膜的形式沉积到硅片上，最终形成半导体芯片中复杂的配线结构。

溅射靶材以超高纯金属(铝、钛、铜、钽等)为原料，具有金属镀膜的均匀性、可控性等诸多优势，被广泛应用于半导体领域。

(Japanese)　Samsung Electronics、Harmanを80億ドルで買収へ

Samsung Electronicsが、コネクテッドカー技術を手掛けるHarman Internationalを80億米ドルで買収すると発表した。

Samsung Electronicsは2016年11月14日、米国の自動車技術グループであるHarman Internationalを80億米ドルで買収すると発表した。

同じ日、ドイツのSiemensはEDAツールを手掛ける米Mentor Graphicsを45億米ドルで買収すると発表している。

SamsungとSiemensはいずれも自動車分野では影響力のあるプレイヤーではないが、それぞれの買収の動機は似通っている。

高度なコネクテッドカーや自動運転車向けの技術は今後の成長市場であり、その“分け前”にあずかりたいという思いだ。

Siemensは、MentorのEDAツールが、自動運転車を含むスマートカーやコネクテッドカーの開発に不可欠であるとみている。

一方、韓国のエレクトロニクス最大手であるSamsungは、Harmanの買収を通じて、成長中の車載技術市場を一挙に席巻することを狙う。

現在、自動車メーカーとティア1サプライヤーは、コネクテッドカーの中枢を担うシステムにおける設計の複雑さやセキュリティの確保といった、前例のないレベルの課題に直面している。

これまで自動車を手掛けていなくても、次世代の高度な自動運転車の世界を制する可能性は十分にある。とはいえ、そのためには自動車向けのソリューションを備える必要がある。

Harmanの買収は、Samsungによる外資系企業の買収の中で最大規模のものになるといわれている。現在は、Harmanの株主からの承認を待っている状況だという。

 

(Japanese)シーメンスがメンターを45億ドルで買収へ

Siemensは2016年11月14日、Mentor Graphicsを45億米ドルで買収することで両社が同意したと発表した。

産業向けソフトウェアを強化してきたSiemensは、今後、自動運転車を含むスマート／コネクテッド製品を開発していく上で、Mentorが持つ電子系設計ソフトウェア（EDAツール）が不可欠だとしている。

Siemensは2007年にPLM（製品ライフサイクル管理）ベンダーの米UGSを35億米ドルで買収しているが、今回のMentorの買収は、それを超える案件となっている。

プレスリリースの中でSiemensは、「当社は、機械設計、熱設計、電子設計および組み込みソフトウェア設計ツールを1つの統合プラットフォームとして提供できる、独自の“デジタル・インダストリアル・プレイヤー”の地位を目指す」と強調している。要はSiemensは、航空機から鉄道、自動車、ウェアラブル機器まで設計できるような完全なツールを提供したいのだろう。

さらにSiemensにとってMentorは、Siemensが戦略として掲げているメカトロニクスを強化できる存在でもある。

Mentorの車載分野における存在感はよく知られている。同社は、自動車の開発を加速する革新的なツールを自動車メーカーやティア1サプライヤーに提供してきた。

MentorのCEOを務めるWally Rhines氏はリリースの中で「Siemensは、財務的な安定性を得るためには理想的なパートナーだ。

同社のリソースによってMentorは、電子システム向けの自動化設計ソリューションの開発を加速できる」と述べている。

 

(Japanese) Samsung、10nm SoCの量産を2016年内にも開始か

Samsung Electronicsが10nm FinFETプロセスを適用したSoC（System on Chip）の量産体制を着々と整えているようだ。

「Galaxy Note 7」の発火問題で同社のファンドリー事業も停滞するとみられているが、最先端プロセスの実用化に向け、開発を進めている。

スマートフォン「Galaxy Note 7」の回収で揺らぐSamsung Electronicsは、2016年のファウンドリー事業の停滞を見込んでいる。

そうした中、同社が10nm FinFETプロセスで製造するSoC（System on Chip）の量産体制を整えていることが明らかになった。

ファウンドリー事業でのライバルであるTSMCやIntelに打ち勝つことを狙う。

Samsungのファウンドリー部門において、マーケティングおよびビジネス開発のシニアバイスプレジデントを務めるHong Hao氏は「2016年内にも量産を開始する予定だ。

当社は10nmチップを出荷する最初のメーカーとなるだろう」と話している。

Samsungのプレスリリースによると、「10LPE」と呼ばれるプロセスでは、トリプルパターニングを用いることで、

14nmプロセスに比べて面積が30％縮小された他、チップ性能は27％向上し、消費電力は40％低くなった。

10nmチップを用いた初めてのデバイスは2017年初めにお目見えする予定だ。その後、Samsungは同年末ごろには改良版の「10LPP」を後続プロセスとして発表するという。

Samsungは14nmプロセスでも同様の方法を取った。つまり、第1世代のFinFETプロセスをいち早く市場に投入し、その後最適化されたバージョンを発表している。

同社によると、10nmノードのプロセスおよびIP（Intellectual Property）設計キットは既に入手可能だという。Samsungは2016年1月に開催された技術会議で、10nm SRAMセルについて説明していた。

(Japanese) Xiaomiのドラレコ、そのプロセッサの正体は？

中国のXiaomi（シャオミ）は、スマートフォン以外の分野にも触手を伸ばし始めている。

その一例がドライブレコーダー（ドラレコ）だ。同製品を分解したところ、使われているプロセッサは米Ambarella製で、パッケージだけカスタマイズしている.

2016年、その勢いに若干の陰りが出た中国Xiaomiだが、スマートフォン以外の分野にも触手を伸ばしている。

アクションカメラやリストバンド型のウェアラブル機器、ネットワークルーターなどである。

アクションカメラは「Xiaomi Yi Camera」という名称で日本でも入手可能である。

XiaomiのYi Cameraが、ドライブレコーダー分野にも進出し始めている。

型名は「Xiaomi Yi Camera」に1文字加わった「Xiaomi Yi Car Camera」になっている。

「Car」の文字が加わっているということで、車載用途に合わせたセットで販売されている。

この車載セットには、シガーソケットからの給電が可能になるアダプター、カメラ本体をダッシュボード、ルームミラー脇に設置するためのホルダーが含まれる。

ドライブレコーダーとしては、オールインワンのパッケージ内容となっており、購入後すぐに設置と稼働が可能だ（台湾製のドライブレコーダーとほぼ同じ）。

また、このドライブレコーダーにはADAS（先進運転支援システム）機能として、

1.前方衝突防止アラーム：前の車との接近を知らせる

2.レーンキープアシスト：車線からの逸脱をピーという警告音で知らせる

3.前車スタート通知：前の車のスタートをブザーで知らせる

などの機能が備わっている。

 

(Chinese) Vishay推出新款检流电阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新的表面贴装Power Metal Strip® 检流电阻—WSLF2512。

该电阻具有6W的高功率，TCR低至±70ppm/℃，0.0003Ω的极低电阻值，采用2512外形尺寸。

Vishay Dale WSLF2512的功率密度达到192W/平方英寸，让设计者在高功率电路中能使用尽可能小的电阻，来节省空间。

器件的低TCR使其可在很宽的温度范围内实现稳定和准确的电流测量，低阻值使功率损耗最小化，提高最终产品的效率。

WSLF2512采用由一个低TCR(<20ppm/℃)的固体金属镍铬、锰铜或锰铜锡合金电阻芯构成的先进结构，这样就能在更小的尺寸内实现更高的功率，并保持Power Metal Strip结构的优异电气特性。

Vishay独有的加工技术使器件的电阻值范围达到0.0003Ω～0.003Ω，公差为±1.0%和±5.0%。

器件具有低热电动势EMF(<3μV/℃)，非常低的电感(<2nH)，温度范围从-65℃到+170℃。

今天推出的电阻非常适合电源管理中各种类型的检流、分压和脉冲应用，可用于引擎、传动、防抱死、音响和气候控制等汽车电子控制设备，钻井测试和测量设备及HVAC系统的逆变器控制，服务器的VRM。

器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。

(Chinese)Linear Technology 推出 30A 降压型 µModule® 稳压器

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 30A 降压型 µModule® (微型模块) 稳压器 LTM4647。

该器件采用 9mm x 15mm x 5.01mm BGA 封装，内含电感器、MOSFET、DC/DC 控制器和支持性组件。

在 70°C 环境温度、无散热器或空气流动情况下连续地提供 30A 满标度电流时，LTM4647 从 12VIN 至 1VOUT/30A 的转换效率为 87%。

当 6 个 LTM4647 并联均分电流时可提供高达 180A。

总输出电压 DC 准确度在基准、反馈电阻、电压、负载和温度范围 (–40ºC 至 125 ºC) 内保证为 ±1.2%，而内置的远端采样放大器负责补偿 PC 板的走线阻抗由于大负载电流的原因所引起的电压降。

凭借其小封装尺寸和精准的电压准确度，LTM4647 满足高密度系统板的 PCB 面积限制条件，可为 FPGA、ASIC、微处理器和 GPU 等低电压和大电流器件供电。

该器件的应用包括 PCIe 板、通信基础设施、基于云计算的系统、测试与测量、医疗及工业设备.

该器件的输入电压范围为 4.7V 至 15V，输出电压范围可用单个外部电阻器设定在 0.6V 至 1.8V。

输出电压跟踪和软启动功能允许用户设定与其他系统电压轨之间的排序。

开关频率可用单个外部电阻器设定在 400kHz 至 700kHz 范围，或可同步至一个外部时钟。故障保护功能包括过压保护、过流保护和温度监视。

LTM4647 在 –40°C 至 125°C 温度范围内运行。

性能概要： LTM4647

  • 4.7V 至 15V 输入电压范围
  • 0.6V 至 1.8V 输出电压范围
  • ±1.2% 总体 DC 输出电压误差 (–40°C 至 125°C)
  • 差分远端采样放大器用于实现精准稳压
  • 高达 180A 的多相均流
  • 保护功能：输出过压、输出过流、温度监视
  • 9mm x 15mm x 5.01mm BGA 封装

(Japanese) 2016年Q3半導体ウエハー出荷、過去最高を更新

SEMIは2016年11月、2016年第3四半期（7～9月）の世界シリコンウエハー出荷面積が、27億3000万平方インチとなったと発表した。

過去最高を記録した前四半期（同年4～6月）の出荷実績を0.9％上回り、2四半期連続で過去最高を更新した。

同統計によると、シリコンウエハー出荷面積は27億3000万平方インチとなった。

前四半期（同年4～6月）の27億600万平方インチから0.9％増加。

四半期の出荷面積として、2四半期連続で過去最高を更新した。前年同期比でも5.4％増となっている。

同統計はSEMI Silicon Manufacturers Groupによるシリコンウエハー業界の分析結果を基に算出。

ウエハーメーカーがエンドユーザーに対して出荷した、バージンテストウエハー、エピウエハーを含むポリッシュドウエハーと、ノンポリッシュドウエハーを集計している。

なお、太陽電池用シリコンウエハーは含まれない。

semig