(Japanese)EUV光源で発光効率5％を実現
ギガフォトンは2016年10月、開発中の極端紫外線（EUV）スキャナー用レーザー生成プラズマ（LPP）光源における、
半導体量産ラインでの稼働を想定したパイロット光源＊）が完成し、
出力105Wの安全運転と、「世界最高水準」である発光効率5％を実現したと発表した。
同社はこれまで、20μm以下の微小ドロッブレットの供給技術、
固体レーザーによる改良型プリパルスと高周波放電励起式三軸直交型CO2レーザー増幅器による高光品位メインパルスレーザーの組み合わせ、
エネルギー制御技術の改善、独自の技術である磁場を使ったデブリ除去技術を開発してきた。
2016年7月は、プロトタイプ機において、最低130Wの出力で119時間の連続運転にも成功したと発表している。
今回のパイロット光源は、EUVスキャナーに組み込むことを前提として設計したシステムに、上記の技術を組みこんだものである。
プロトタイプ光源よりも高いデューティー比95％で、出力105Wの安全運転、発光効率5％に成功した。
これは、半導体生産のスループットを決定する平均出力100Wに相当し、現時点でユーザーの要求を上回る性能という。
同社は、「最先端半導体ラインの実現に向けて大きく近づいた証」と語る。
今回の発表に対して「高出力、低ランニングコストでの安定稼働可能なEUV光源が、市場導入間近であること示している。