(Chinese)VLT技术会否重新刷新DRAM产业格局
本月Kilopass Technology宣布推出垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor)技术，简称VLT技术。
该技术集低成本、低功耗、高效率、易制造等诸多优点于一身，有可能刷新DRAM产业格局。
DRAM整体市场较为稳定，未来随着PC、手机等方面的市场需求萎缩，新的增长点将出现在云计算/服务器等市场领域。
然而当前的DRAM技术用于该市场领域面临着功耗太高的问题。
当前DRAM技术的存储单元，基本的结构是1个晶体管搭配一个电容器(1T1C)。
这种存储单元结构目前只能做到20nm工艺，受制于电容器的尺寸和电容量，DRAM的尺寸缩小再往下走非常困难。
同时，因为较小的晶体管带来更多的漏电流，且较小的电容器结构拥有更少的电容量，这将导致两次刷新之间的间隔时间必须缩短。
由于刷新周期频率的加快，16Gb DDR DRAM中高达20%的原始带宽将丢失，这给多核/多线程服务器中的CPU带来负担，使CPU必须挤压每一点儿性能来保持系统竞争力。
对于在预计工作温度在37.5摄氏度下的手机、PC等市场领域，传统的DRAM技术功耗情况影响不大。
但对于常年处于80摄氏度以上高温环境的服务器来说，功耗的降低至关重要。
Kilopass开发的VLT技术，则是通过垂直方式实现晶闸管架构，形成锁存，彻底摒弃了传统DRAM需要的电容。
因此，不再需要刷新周期，也不存在漏电，性能利用率可以达到100%，同时可以清晰地区分开“0”和“1”的信号。
据了解，VLT存储单元的运行和器件测试已于2015年完成，一块完整的内存测试芯片已于5月份成功流片，早期芯片测试正在进行当中，新一代10nm技术的验证有望在2017年完成。
Kilopass是一家来自于硅谷的知识产权(IP)产品提供商，其经营模式类似于ARM，依靠技术授权获利。
其自主研发的嵌入式一次性可编程(OTP)技术在全球DRAM市场中已占据60%的份额。而对于VLT技术授权，Kilopass将采用对出货芯片抽成的方式。